精心设计的拼图碎片可能提供解决石墨烯能带的困难

建立石墨烯从精心修改superbenzene段提出了石墨烯作为一种帮助克服的主要障碍限制在电子设备中的应用,通过打开让它真正的半导体的能带。

自底向上的合成方法对硼nitride-doped石墨烯应该使精确控制它们的结构

本质上,石墨烯是一种半金属无隙。氮化硼可以负担得起的石墨烯的电子特性所需的自动电路。然而,这些硼nitride-groups定位在正确的地方正确调节电子穿过石墨烯是很困难的。

现在,而不是使石墨烯薄片,然后掺杂,剑裴北京大学在中国和他的同事打算施加控制在早期阶段与拼图块由晕苯,最小的graphene-type分子锯齿形边缘,也称为superbenzene。每一块有三个氮化硼组。

合成路线的硼nitride-doped heterocoronene

团队还没有将这些碎片聚集到一个更大的石墨烯片,但表明,因为他们展览C3对称和隙增大,碳模拟相比,它们是很有前途的候选人为扩展成一个2 d网络具有可调的电子特性。