氟化可以使二维材料用于极端环境下的电子应用

掺杂BN作为半导体的晶格图显示了单位细胞

资料来源:Ajayan集团/莱斯大学

用密度泛函理论计算了六方氮化硼氟化样品的磁性。这一版本是反铁磁性的,由氟原子(红色)附着在硼和氮基质上的方式决定

在二维材料氮化硼中引入氟可以改变其电子结构,并可能为新的应用铺平道路阿加延Pulickel美国德克萨斯州莱斯大学的一项研究表明。

当氮化硼被氟化时,它从电绝缘体变成了半导体,因为电负性氟原子的引入减少了材料的带隙。Ajayan和他的同事们表明,需要5%左右的氟化才能降低带隙。

由于氟原子对氮原子自旋的影响,添加氟还被发现改变了材料的磁性。研究小组称这是意料之外的惊喜,因为磁性在二维材料中是非常不寻常的最近才报道了第一例

鉴于氮化硼材料优异的导热性,这一进展可能为在高温环境中使用氮化硼电子产品或磁存储器开辟了可能性。